台积电最新揭露了公司先进制程进度，其中3纳米鳍式场效电晶体制程（FinFET）开发领先全球，同时针对行动通讯与高效能运算（HPC）应用提供优化制程，预计2022年下半年量产。2纳米去年完成初步研究及路径寻找，今年研发阶段着重于测试键与测试载具的设计与实作，同时进入极紫外光（EUV）光罩制作及矽试产阶段。
台积电持续投资研究与开发，去年全年研发总预算约占总营收8.2％且来到1,095亿元，此一研发投资规模相当或超越了许多其他高科技领导公司的规模。
台积电的3纳米技术作为第六代三维晶体管技术平台，持续全面开发，并与主要客户完成矽智财设计及开始进行验证的同时，台积电已开始全面开发领先半导体业界的2纳米技术，同时针对2纳米以下的技术进行探索性研究。
台积电表示，3纳米FinFET技术开发依照计划进行并有很好的进展。此一领先全球的技术同时针对行动通讯与HPC应用提供优化的制程，预期今年将接获多个客户产品投片，预计明年下半年开始量产。相较于5纳米技术，3纳米逻辑密度将增加70％，效能提升15％，而且功耗降低30％。
台积电去年完成2纳米初步研究及路径寻找之后，今年2纳米制程技术的研发阶段，着重于测试键与测试载具之设计与实作、光罩制作及硅试产。而在微影技术及光罩技术部分，台积电今年在2纳米及更先进制程上将着重于改善EUV微影技术的品质与成本，并持续精进EUV光罩技术以满足2纳米微影技术在光罩上的需求。
台积电5纳米领先量产，去年已开始为苹果等多家客户量产行动通讯及HPC相关芯片，5纳米强效版（N5P）采相同设计准则，去年底台积电已接获多个客户产品投片，并预计今年进行N5P技术量产。
台积电占全球半导体产值的24%
晶圆代工龙头台积电董事长刘德音及总裁魏哲家提及，台积电去年在全球半导体业的晶圆代工领域保持领导地位，且产出占不含记忆体的全球半导体产值24％，相比2019年的21％持续增加，主要受惠5G及高效能运算（HPC）产业大趋势相关应用推升，而台积电现在正处于绝佳位置，能够掌握未来几年产业大趋势的成长。
他们指出，进入5G时代，人工智能（AI）和5G应用对数字运算效能的需求永无止境。台积电凭借着在先进制程技术的领先、广泛的特殊制程技术组合和3DIC解决方案、无与伦比的制造能力、以及与客户深入的合作伙伴关系，正处于绝佳的位置，能够掌握未来几年产业大趋势的成长。
台积电预期5G智能手机增产与HPC运算的持续力道，支撑加速数字化转型，预估今年整体电子产品需求将进一步增加，整体半导体产业（不含记忆体）将因而呈现低十位数百分比（11～14％）成长。就长期而言，因电子产品采用半导体含量的比例提升，IC设计公司持续扩大市占率，IDM厂委外制造的比例增加，以及系统厂增加采用自有特殊应用元件（ASIC）等因素，台积电期待自2020～2025年，晶圆代工产业的成长可望较整体半导体产业（不含记忆体）的中个位数百分比（4～6％）年复合成长率（CAGR）更为强劲。
台积电去年晶圆出货量年增22.8％达1,240万片12吋约当晶圆创下新高，16纳米及以下先进制程占晶圆销售金额比重年增8个百分点达58％，提供281种不同制程技术为510个客户生产11,617种不同产品。
