4月20日，南亚科正式宣布，规划于新北市泰山南林科技园区兴建一座双层无尘室12寸先进晶圆厂。
根据南亚科新闻稿，此座厂房总投资金额约为新台币3,000亿元（约合人民币696亿元），将采用南亚科自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划建置EUV极紫外光微影生产技术，月产能约为45,000片晶圆。
此座先进晶圆厂，预估以7年分3阶段投资，计划于2021年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产。预期届时可直接提供2,000个优质工作机会，并间接创造产业链数千个就业机会。
南亚科董事长吴嘉昭表示，DRAM是所有电子产品智能化的关键元件，是半导体产业极为重要的一环。因应全球存储器市场成长趋势，此次南亚科投资兴建先进晶圆厂，提升竞争力，让南亚科技不仅是台湾地区的DRAM领导者，更是全球关键存储器供应商。
南亚科总经理李培瑛表示，2020年成功开发出10纳米级DRAM记忆胞技术，并规划2021年导入量产，未来可生产DDR5，LPDDR5及16Gb高容量等DRAM产品，以因应未来5G与智慧世代的发展。
李培瑛进一步表示，目前DRAM的需求在5G、IoT、消费性电子市场的带动下，需求持续成长中。虽然市场报价与供需状况会有所起伏，但都不影响长时间成长的大趋势，使得扩产的作法并不担心会有供过于求的风险。而如此，虽然不会快速提升南亚科的市占率，却也不会让市占率有所下滑。
李培瑛进一步表示，新厂的兴建，届时预计从第2代10纳米级的DRAM制程开始导入，首阶段预计会有15,000片的月产能。而在3阶段完成建设之后，将为南亚科增加45,000片的月产能。这数量虽然相较目前每月70,000片的产能较少，但因为制程的提升，颗粒产能数量将会较为提升。另外，在新厂中南亚科也规划建置EUV极紫外光微影生产技术，也有相关的技术研发中心。至于，最终什么制程导入，或是什么产品导入，还须视市场需求做决定。
